ГОСТ Р 71334-2024
Структуры эпитаксиальные. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире на основе инфракрасной интерференции
Введён в действие:
Источник: files.stroyinf.ru
Ссылка ведёт на документ, размещённый на стороннем ресурсе. Администрация сайта не несёт ответственности за содержание, актуальность и доступность документа на внешнем ресурсе. Переход и скачивание осуществляются на ваше усмотрение и риск.
Область применения и описание
Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные структуры, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод интерференции для измерения толщины эпитаксиальных слоев в структурах кремний на сапфире (КНС)
Основные сведения
- Наименование на английском языке
- Epitaxial structures. Мethod for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
- Дата издания
- 01.03.2025
Классификация ОКС
- 29.045 Полупроводниковые материалы